RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
92
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2042
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link