RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
92
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
41
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2087
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link