Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Puntuación global
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Puntuación global
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Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    2 left arrow 15.3
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    67 left arrow 92
    En -37% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 1,266.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 6400
    En 3 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    92 left arrow 67
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,105.4 left arrow 15.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,266.1 left arrow 8.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    339 left arrow 2042
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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