RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
53
Около 45% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
53
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2301
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link