RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
73
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
2,978.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
1724
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link