RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
73
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
2,978.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
73
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
1724
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link