RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
41
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
4006
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link