RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
66
Rund um -128% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
15.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
3594
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link