RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
59
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2,076.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
1998
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link