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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
10.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
59
Intorno -69% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
2,076.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
35
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
1998
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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