RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
91
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.3
2,076.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
91
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
6.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
4.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
1214
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link