RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
59
91
Autour de 35% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6.1
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
4.3
2,076.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
91
Vitesse de lecture, GB/s
4,723.5
6.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,076.1
4.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
741
1214
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link