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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
59
Rund um -31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.9
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
2,076.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
6.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
6.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
1499
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Absolute Latency
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