RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
59
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6.9
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.3
2,076.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
45
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
6.9
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
1499
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C6NG9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link