RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2605
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link