SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 16.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,076.1 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 59
    Около -90% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    59 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,723.5 left arrow 16.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,076.1 left arrow 12.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    741 left arrow 2605
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения