RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
62
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
1,658.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,216.7
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,658.4
10.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
688
2620
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link