RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
68
Rund um -134% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,402.8
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
701
3098
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link