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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,013.5
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
68
Autour de -134% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,402.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,013.5
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
701
3098
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Jinyu 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
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