RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
60
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
2,381.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
8.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
2585
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link