RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
44
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3107
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link