RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
44
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
13.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
2807
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link