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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
44
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
21
读取速度,GB/s
14,740.4
18.7
写入速度,GB/s
8,883.4
13.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
2807
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
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A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
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