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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
44
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
12.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
2704
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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