RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
44
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
25
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
2704
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link