RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
16.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3634
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link