RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
44
Rund um -91% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
11.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3147
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link