RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
74
117
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
2,303.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
117
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,094.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,303.7
7.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
784
1616
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link