RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
68
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3116
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link