SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Gesamtnote
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Unterschiede

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    68 left arrow 73
    Rund um 7% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,670.7 left arrow 1,423.3
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    68 left arrow 73
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,554.9 left arrow 3,510.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,670.7 left arrow 1,423.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    513 left arrow 476
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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