SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Punteggio complessivo
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    68 left arrow 73
    Intorno 7% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    1,670.7 left arrow 1,423.3
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    68 left arrow 73
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,554.9 left arrow 3,510.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,670.7 left arrow 1,423.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    513 left arrow 476
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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