RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
68
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
15.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3564
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link