RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
68
Rund um -258% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
13.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3075
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link