RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
68
Rund um -134% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
20.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
16.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3925
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link