RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
68
Rund um -152% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
11.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2062
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link