RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
68
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
10.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2148
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link