RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
68
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
9.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2591
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link