RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
68
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
1,670.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
5300
Rund um 4.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,554.9
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,670.7
14.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
23400
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3419
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link