RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
80
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
80
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1570
1775
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link