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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Compara
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Puntuación global
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
80
En 56% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
80
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1570
1775
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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