RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1570
2889
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link