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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
25
读取速度,GB/s
12.3
16.8
写入速度,GB/s
7.3
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2889
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAM的比较
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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