RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
70
Rund um -169% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
17.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3938
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link