Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Unterschiede

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    23 left arrow 41
    Rund um -78% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    17.5 left arrow 13.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.6 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    41 left arrow 23
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.3 left arrow 17.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 14.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2016 left arrow 3260
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RAM 1
RAM 2

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