RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
69
Rund um -138% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
8.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2345
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link