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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Confronto
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
69
Intorno -138% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
1,441.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
29
Velocità di lettura, GB/s
3,325.1
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,441.2
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
525
2345
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
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