RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
41
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
3260
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link