RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
70
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3117
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link