RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
70
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
3,071.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
9.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2374
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link