RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
70
Около -133% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
3,071.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2374
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link